ووفقًا لخبراء في سامسونج، فإن الذاكرات الجديدة التي طوروها تعتمد تقنيات High-K Metal Gate التي تستخدم فيها نواقل معدنية بدلاً من السيليكون، ما يؤمن سرعات عالية في نقل البيانات.
وتشير المعلومات المتوفرة إلى أن هذه الذواكر تصل سرعة نقل البيانات فيها إلى 7200 ميجابايت/ ثانية، أي أكبر بمقدار الضعف مقارنة بالسرعة الموجودة في ذواكر DDR4 تقريبًا.
وبفضل التقنيات المتطورة التي حصلت عليها هذه الذاكرات، فإن استهلاكها للطاقة أقل بمقدار 13% مقارنة بأحدث ذاكرات الوصول العشوائي المطروحة للحواسب حاليًا.
ومن المفترض أن تجد هذه الشرائح استخدامات واسعة في عالم الحواسب المتطورة التي تعتمد على تقنيات الذكاء الاصطناعي وتعالج كميات كبيرة من البيانات في الوقت نفسه، كما يفترض أن تُطرح مع الجيل القادم من الحواسب التي ستطلقها سامسونج وآسوس وإتش بي العام المقبل.
